在國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景下，中國半導(dǎo)體存儲基地于2016年開始建設(shè)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，我國存儲芯片的應(yīng)用場景不斷擴大。目前，我國存儲芯片在各個領(lǐng)域的應(yīng)用正處于發(fā)展的初級階段，能夠成熟相關(guān)存儲芯片產(chǎn)品應(yīng)用的企業(yè)數(shù)量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市場被韓國、日本、美國企業(yè)所占據(jù)。
1、中國存儲芯行業(yè)起步較晚，技術(shù)基礎(chǔ)薄弱
中國的存儲芯片發(fā)展較晚。2016年之前，行業(yè)幾乎沒有產(chǎn)能，存儲芯片極度依賴進口。面對外資企業(yè)在存儲芯片行業(yè)的壟斷優(yōu)勢，中國近年來開始大舉投資存儲芯片行業(yè)。經(jīng)過幾年的發(fā)展，逐漸取得了一些成績。
目前，中國大陸地區(qū)企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域的市場份額仍然較低，通過國家政府層面的大規(guī)模投資，有機會快速切入相關(guān)領(lǐng)域，是芯片國產(chǎn)化的可靠而重要的一步。
存儲芯片行業(yè)是一個技術(shù)密集型行業(yè)。中國存儲芯片行業(yè)起步較晚，缺乏積累的技術(shù)經(jīng)驗。雖然我國本土的企業(yè)已經(jīng)逐步完善了NAND和DRAM行業(yè)的布局，但每一款存儲芯片產(chǎn)品還處于生產(chǎn)初期，尚未實現(xiàn)量產(chǎn)。與國外存儲芯片廠商相比，我國存儲芯片技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，是制約行業(yè)發(fā)展的主要因素。
以3DNAND存儲器為例，三星、海力士通過不斷開發(fā)創(chuàng)新，改進數(shù)據(jù)存儲單元結(jié)構(gòu)，增加單元存儲容量，開發(fā)生產(chǎn)了176層3DNAND。國內(nèi)于2020年推出128層QLC 3D NAND閃存?？梢钥闯?，與國外領(lǐng)先的3D NAND企業(yè)相比，我國的存儲技術(shù)與國外企業(yè)還有一定差距，我國的3D? NAND技術(shù)基礎(chǔ)相對薄弱。
2、中國存儲芯片市場波動上升，NAND Flash和DRAM為主要產(chǎn)品
在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下，智能手機的功能逐漸多樣化，覆蓋了許多應(yīng)用領(lǐng)域，促使市場不斷提高智能手機的存儲空間要求，以滿足消費者使用移動互聯(lián)網(wǎng)的體驗。2016年后，中國智能手機等消費電子應(yīng)用市場的快速擴張，推動了存儲芯片市場需求的快速釋放。
2014年至2019年，中國存儲芯片市場規(guī)模從1274億元增長到2697億元，復(fù)合年增長率為16.18%。預(yù)計2020年市場規(guī)模將超過3000億元。
目前存儲芯片市場以NAND Flash和DRAM為主。2019年，中國NAND Flash產(chǎn)品銷售額占總市場規(guī)模比重約為42%，占全球NAND Flash市場銷售額37%;2019年中國DRAM產(chǎn)品銷售額占總市場規(guī)模比重約為55%，占全球DRAM市場34%。
3、中國存儲芯片市場由國外企業(yè)壟斷，國內(nèi)廠商奮力追趕
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存儲芯片是一個高度壟斷的市場，三星、SK海力士、美光，合計占據(jù)全球DRAM市場95%左右的份額，NAND Flash經(jīng)過幾十年的發(fā)展，已經(jīng)形成了由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場格局。
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從中國存儲芯片行業(yè)競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo)，細(xì)分領(lǐng)域也落后于國外，但近年來國內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距。